武汉大学《Nature Materials》：低功率二维电子器件的高κ单晶电介质

互补金属氧化物半导体技术的缩小规模在电子领域取得了突破，但更极端的缩小规模已经造成了器件性能的下降。一个关键的挑战是开发具有高介电常数、宽带隙和高隧道质量的绝缘体。 日前，来自武汉大学的研究人员发现，通过和理论计算相结合设计并通过范德华外延合成的二维单晶五氧化二钆可以同时表现出~25.5的高介电常数和宽带隙。即使在5 MV·cm−1的情况下，也能实现低至1 nm的理想等效氧化物厚度，以及约10−4A·cm−2的超低漏电流。由五氧化二钆门控的二硫化钼晶体管在0.5V的工作电压下......【更多...】

2025-01-24